国家知识产权局信息数据显现，中晶新源（上海）半导体有限公司请求一项名为“一种寄生超级整流器的MOSFET集成器材及其制造的进程”的专利，公开号CN121357977A，请求日期为2025年10月。

  专利摘要显现，本发明公开了一种寄生超级整流器的MOSFET集成器材，包含MOS外延层、MOS沟槽栅、体区、源区、隔离层、触摸孔和触摸岛区；触摸孔包含SBR结构区和金属柱；SBR结构区包含SBR外延层和SBR栅介质层；体区经过体触摸区与金属柱构成欧姆触摸，还别离与金属柱和SBR栅介质层衔接。本发明另一方面公开了上述器材的制造的进程，包含以下过程：在外延层上制造MOS沟槽栅；设置体区、源区、隔离层和触摸孔；在触摸孔的侧壁设置榜首介质层；设置触摸岛区；堆积SBR外延层；设置体触摸区；蚀刻榜首介质层和SBR外延层构成SBR结构区；设置金属柱和金属层。本发明的寄生结构不单独占用有源区的元胞结构，且每个MOS元胞都设置有相邻的具有寄生结构的触摸孔，提高有用功能。

  天眼查资料显现，中晶新源（上海）半导体有限公司，成立于2017年，坐落上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。经过天眼查大数据分析，中晶新源（上海）半导体有限公司参加招投标项目2次，产业线条，此外企业还具有行政许可1个。

  声明：商场有危险，出资需谨慎。本文为AI根据第三方数据生成，仅供参考，不构成个人出资主张。